NTE465 (N-Ch) Silicon Complementary MOSFET Transistors Enhancement Mode for Switching Applications TO72 Type Package Absolute Maximum Ratings: Drain-Source Voltage, VDS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25V Drain-Gate Voltage, VDG . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30V Gate-Source Voltage, VGS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +30V Gate Current, IG . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30mA Total Device Dissipation (TA = +255C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300mW Derate Above 255C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.7mW/5C Total Device
NTE465 (N-Ch) Silicon Complementary MOSFET Transistors Enhancement Mode for Switching Applications Absolute Maximum Ratings: Drain-Source Voltage, VDS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25V Drain-Gate Voltage, VDG . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30V Gate-Source Voltage, VGS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30V Gate Current, IG . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30mA Total Device Dissipation (TA = +25C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300mW Derate Above 25C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.7mW/C Total Device Dissipation (TC = +25C
l) JFET N-CH (95 ratio) . 462 | MOSFET Designed for low pwr | 7018 | 28b 20 7 2-6 20 _ 8 8 2,300 300 . N-CH app In audio freq range (BVDSX) : 464 | MOSFET Enhancement mode, TO72 | Sig 25 5 10 nA 30 600 5 13. [1000 min} 300 P-CH switching app Max (Comp! to NTE465) 465 | MOSFET Enhancement mode, | 7072] 3if 25 5 10 nA 30 _ 800 5 13 {1000 min} 300 N-CH Switching app Max (Comp! to NTE464) . 468 JFET Chopper/Sw TO18 | 28 40 10 50 mA | 250 pA 25 18 - 360 N-CH Min 467 JFET Chopper/High Speed |TO92/ 96 30 12 50 mA | 10 nA 30 10 4 310 N-CH Switching Min 1-50