NTE464 (P-Ch) & NTE465 (N-Ch) Silicon Complementary MOSFET Transistors Enhancement Mode for Switching Applications TO72 Type Package Absolute Maximum Ratings: Drain-Source Voltage, VDS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25V Drain-Gate Voltage, VDG . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30V Gate-Source Voltage, VGS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +30V Gate Current, IG . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30mA Total Device Dissipation (TA = +255C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300mW Derate Above 255C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
1 526-NTE12 526-NTE13 526-NTE14 526-NTE15 526-NTE16 526-NTE17 526-NTE18 526-NTE19 526-NTE20 526-NTE21 526-NTE22 526-NTE23 526-NTE24 526-NTE25 526-NTE26 526-NTE31 526-NTE32 526-NTE36 526-NTE37 526-NTE39 526-NTE41 526-NTE42 526-NTE43 526-NTE44 526-NTE45 526-NTE46 526-NTE47 526-NTE48 526-NTE50 526-NTE51 526-NTE52 526-NTE53 526-NTE54 526-NTE55 526-NTE56 526-NTE58 526-NTE60 526-NTE62 526-NTE63 526-NTE64 526-NTE65 526-NTE66 526-NTE67 526-NTE68 526-NTE69 526-NTE77 526-NTE82 526-NTE85 526-NTE87 526-NTE88 526-NTE89 526-NTE90 526-NTE91 526-NTE92 526-NTE93 526-NTE94 526-NTE100 526-NTE101 526-NTE102 526-NTE102A 526-NTE103 526-NTE103A 526-NTE104 526-NTE105 526-NTE106 526-NTE107 526-NTE108 526-NTE108-1 Description TO-92 NPN Low Noise TO-92 NPN Hi-Curr Amp TO-92 PNP Hi-Curr Amp Low-V Output Amp (FTR) PNP Low Freq Drv (FTR) PNP VHF Mix (ATR) NPN G/P Amp (ATR) PNP Low Noise (ATR) NPN Hi-V Curr (ATR) PNP Hi-Curr Drv (ATR) NPN Hi-Pwr Out (ATR) PNP Hi-Pwr Out (ATR) NPN Med Power TO-92 Hi-Freq Amp TO-237 NPN Gen Purp
NTE464 (P-Ch) & NTE465 (N-Ch) Silicon Complementary MOSFET Transistors Enhancement Mode for Switching Applications Absolute Maximum Ratings: Drain-Source Voltage, VDS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25V Drain-Gate Voltage, VDG . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30V Gate-Source Voltage, VGS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30V Gate Current, IG . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30mA Total Device Dissipation (TA = +25C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300mW Derate Above 25C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.7mW/C Total
NTE41 2.65 2.44 2.24 NTE43 1.88 1.73 1.59 NTE435K64 2.33 2.14 1.97 NTE435P6 1.39 1.28 1.18 NTE451 1.66 1.53 1.41 NTE4511B 3.47 3.19 2.93 NTE4520BT 1.43 1.36 1.29 NTE454 12.95 11.91 10.96 NTE4541BT 1.40 1.29 1.19 NTE457 1.52 1.40 1.29 NTE458 1.89 1.74 1.60 NTE46 1.86 1.71 1.57 NTE467 1.24 1.14 1.05 NTE468 1.37 1.26 1.16 NTE469 1.26 1.16 1.07 NTE48 1.43 1.32 1.21 NTE490 0.84 0.77 0.71 NTE4900 2.34 2.15 1.98 NTE491 0.65 0.60 0.55 NTE4926 2.46 2.26 2.08 NTE4951 3.44 3.16 2.91 NTE5005SM 0.92 0.85 0.78 NTE5009A 0.75 0.69 0.63 NTE5009SM 0.92 0.85 0.78 NTE5010A 0.75 0.69 0.63 NTE5010SM 0.92 0.85 0.78 NTE5011A 0.75 0.69 0.63 NTE5011SM 0.92 0.85 0.78 NTE5014A 0.75 0.69 0.63 NTE5014SM 0.92 0.85 0.78 NTE5015SM 0.92 0.85 0.78 NTE5016A 0.75 0.69 0.63 NTE5018A 0.75 0.69 0.63 NTE5018SM 0.92 0.85 0.78 NTE5019A 0.75 0.69 0.63 NTE5021A 0.75 0.69 0.63 NTE5021SM 0.92 0.85 0.78 NTE5024SM 0.92 0.85 0.78 NTE5025A 0.75 0.69 0.63 NTE5027SM 0.92 0.85 0.78 NTE5031SM 0.92 0.85 0.78 NTE5
l) JFET N-CH (95 ratio) . 462 | MOSFET Designed for low pwr | 7018 | 28b 20 7 2-6 20 _ 8 8 2,300 300 . N-CH app In audio freq range (BVDSX) : 464 | MOSFET Enhancement mode, TO72 | Sig 25 5 10 nA 30 600 5 13. [1000 min} 300 P-CH switching app Max (Comp! to NTE465) 465 | MOSFET Enhancement mode, | 7072] 3if 25 5 10 nA 30 _ 800 5 13 {1000 min} 300 N-CH Switching app Max (Comp! to NTE464) . 468 JFET Chopper/Sw TO18 | 28 40 10 50 mA | 250 pA 25 18 - 360 N-CH Min 467 JFET Chopper/High Speed |TO92/ 96 30 12 50 mA | 10 nA 30 10 4 310 N-CH Switching Min 1-50
. 1,000 Min. 0.625 175* 0.400 150* 150* 150 160 160 65 65 65 80* 80* 200 -- 60 Min. -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- TO-92 TO-3 TO-92 TO-3 TO-3 TO-3 TO-3 TO-3 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 1.41 24.19 .59 5.53 6.12 8.55 8.55 9.53 2.63 2.75 3.08 1.92 1.94 NTE46 General-Purpose Amplifier, Preamp, Driver HV Power Amp, Switch NTE98 NTE172A Pre-Amp, Medium-Speed Switch Power Amp (Complement to NTE248) NTE247 Power Amp (Complement to NTE247) NTE248 Power Amp (Complement to NTE250) NTE249 Power Amp (Complement to NTE252) NTE251 Power Amp (Complement to NTE251) NTE252 Power Amp (Complement to NTE262) NTE261 NTE263 NTE251Power Amp (Complement to NTE264) Power Amp (Complement to NTE263) NTE264 Audio Amp, Dr (Complement to NTE2344) NTE2343 NTE2344 Audio Amp, Dr (Complement to NTE2343) *TC = 25C. RoHS Compliant. RoHS Mfr.'s Type No. of Transistors Polarity Collector to Emitter Voltage VCE (V) Input Voltage VIN (V) Continuous Collector Current IC (mA) DC Current Gain hFE Series Base Resistor (k) Operating Su
NTE469 Silicon N-Channel JFET Transistor Chopper, High Speed Switch Applications: D Analog Switches D Choppers D Commutators Absolute Maximum Ratings: Drain-Source Voltage, VDS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35V Drain-Gate Voltage, VDG . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35V Gate Current, IG . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50mA Total Device Dissipation (TA = +25C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 625mW Derate Above 25C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.68mW/C Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55 to +150C Storage Temperature Range, Tstg
12 4.40 NTE NTE NTE NTE NTE NTE NTE NTE 838 838 N N 836 838 838 838 OP284FS OP284FS OP285GP OP285GS OP290EZ OP290GP OP291GP OP291GP 12.00 9.11 4.14 3.92 11.86 6.43 3.95 8.00 ADI ADI ADI ADI ADI ADI ADI ADI N N N N N 796 797 N NTE438 NTE439 NTE452 NTE4538B NTE46 NTE47 NTE471 0.70 0.88 3.39 3.29 2.16 1.31 58.36 NTE NTE NTE NTE NTE NTE NTE 836 836 N N 836 N N NTE5671 NTE5679 NTE5697 NTE576 NTE580 NTE5800 NTE5801 6.95 18.91 13.37 1.39 3.91 0.58 0.95 NTE NTE NTE NTE NTE NTE NTE N N N N 838 838 838 NTE947D NTE948 NTE953 NTE955M NTE956 NTE960 NTE9602 9.11 4.07 9.69 2.11 3.65 4.10 3.94 NTE NTE NTE NTE NTE NTE NTE N N N 838 838 838 N OP291GS OP295GP OP295GP OP295GS OP295GS OP296GS OP297GP 4.63 5.01 4.40 7.23 5.31 3.88 5.05 ADI ADI ADI ADI ADI ADI ADI 797 N 797 N 797 796 796 NTE4959 NTE5000A NTE5001A NTE5002A NTE5007A NTE5009A NTE5010A 3.79 1.79 0.87 0.89 0.89 0.81 0.89 NTE NTE NTE NTE NTE NTE NTE N N 838 N N N 838 NTE5802 NTE5804 NTE5806 NTE5808 NTE5809 NTE5812 NTE5814 0.96 14.46 1.61 2.19 2.86 1.79 0.43
NTE461 Silicon N-Channel JFET Transistor Dual, Matched Pair DC Amp/Sampler/Chopper TO71 Type Package Features: D High Input Impedance: IG 5 50pA D Minimum System Error and Calibrations D TO-71 Case Style D G S Absolute Maximum Ratings: Gate Drain or Gate Source Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -50V Gate Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30mA Device Dissipation (TA = +255C, Each Side) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 250mW Derate Above 255C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.67mW/5C Total Device Dissipation (TA = +255C) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400mW Derate Above 255C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE466 Silicon N-Channel JFET Transistor Chopper, High Speed Switch Absolute Maximum Ratings: Drain-Source Voltage, VDS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40V Drain-Gate Voltage, VDG . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40V Reverse Gate-Source Voltage, VGSR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -40V Forward Gate Current, IG(f) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50mA Total Device Dissipation (TA = +25C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 360mW Derate Above 25C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.4mW/C Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
tible to hits from the rear. The detectors are quite sensitive even to reflected IR, though, and accept light within a broad cone. Therefore "hits" are possible from almost any angle under favorable conditions. FIGURE 8. IR "Cannon" and Receiver VCC IR Q1 NTE46 /IRSENSE U5 2 GP1U52X 1 1 D2 IR LED R4 330 GND An optional diagnostic link is shown in Figure 9. This link is essentially an RS-232 translator and connector that can be attached to the microcontroller's serial port, and used to communicate with a "monitor" program. This allows the tractor's firmware to be tested and examined in more detail, and also allows the tractor's address to be programmed. FIGURE 9. Tractor Diagnostic Link J5 TXD 1 RXD 2 CON2 C6 11 13 U4 T1 IN R1 IN T1 OUT R1 OUT 14 12 10 8 T2 IN R2 IN T2 OUT R2 OUT 7 9 10uF 1 3 4 5 C7 10uF C1+ C1C2+ C2DS14C232 V+ V- 1 6 2 7 3 8 4 9 5 2 6 DB9 10uF C5 C4 10uF GND 12 of 12 P1 "Rocky's Road Race" COP8TM Microcontroller Demonstration
NTE467 Silicon N-Channel JFET Transistor Chopper, High Speed Switch Absolute Maximum Ratings: Drain-Source Voltage, VDS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30V Drain-Gate Voltage, VDG . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30V Reverse Gate-Source Voltage, VGSR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30V Forward Gate Current, IG(f) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10mA Total Device Dissipation (TA = +25C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 310mW Derate Above 25C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.82mW/C Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE460 Silicon P-Channel JFET Transistor AF Amp Absolute Maximum Ratings: Drain-Gate Voltage, VDG . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20V Reverse Gate-Source Voltage, VGSR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20V Gate Current, IG . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10mA Total Device Dissipation (TA = +25C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.3W Derate above 25C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.7mW/C Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -65 to +200C Electrical Characteristics: (TA = +25C unless otherwise specified) Parameter Symbol Test Conditions Min T
NTE468 Silicon N-Channel JFET Transistor Chopper, High Speed Switch TO92 Type Package D Applications: D Analog Switches D Choppers D Commutators G S Absolute Maximum Ratings: Drain-Source Voltage, VDS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35V Drain-Gate Voltage, VDG . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35V Gate Current, IG . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50mA Total Device Dissipation (TA = +255C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 625mW Derate Above 255C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.68mW/5C Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -555 to +1505C St
NTE460 Silicon P-Channel JFET Transistor AF Amp TO72 Type Package Absolute Maximum Ratings: Drain-Gate Voltage, VDG . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20V Reverse Gate-Source Voltage, VGSR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20V Gate Current, IG . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10mA Total Device Dissipation (TA = +255C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.3W Derate above 255C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.7mW/5C Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -655 to +2005C Electrical Characteristics: (TA = +255C unless otherwise specified) Parameter Symb